Продукція > NEXPERIA USA INC. > PDTA114EQCZ
PDTA114EQCZ

PDTA114EQCZ Nexperia USA Inc.

PDTA143_114_124_144EQC_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+2.76 грн
10000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA114EQCZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1412D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 360 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції PDTA114EQCZ за ціною від 2.06 грн до 19.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA114EQCZ PDTA114EQCZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA143_114_124_144EQC_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 24970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.96 грн
24+ 11.69 грн
100+ 5.71 грн
500+ 4.47 грн
1000+ 3.1 грн
2000+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
PDTA114EQCZ PDTA114EQCZ Виробник : Nexperia PDTA143_114_124_144EQC_SER-2721686.pdf Digital Transistors PDTA114EQC/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.45 грн
24+ 12.99 грн
100+ 7.17 грн
1000+ 3.19 грн
5000+ 2.72 грн
10000+ 2.13 грн
25000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
PDTA114EQCZ PDTA114EQCZ Виробник : Nexperia pdta143_114_124_144eqc_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній
PDTA114EQCZ Виробник : NEXPERIA pdta143_114_124_144eqc_ser.pdf PDTA114EQC/SOT8009/DFN1412D-3
товар відсутній