Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3460_R1_00001
PJA3460_R1_00001

PJA3460_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3460.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.26 грн
6000+ 5.9 грн
9000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3460_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJA3460_R1_00001 за ціною від 4.72 грн до 30.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJA3460_R1_00001 PJA3460_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3460.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 10409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.74 грн
15+ 19.37 грн
100+ 9.77 грн
500+ 8.12 грн
1000+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJA3460_R1_00001 PJA3460_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3460-1867335.pdf MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 194577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.3 грн
14+ 22.84 грн
100+ 12.36 грн
1000+ 6.51 грн
3000+ 5.78 грн
9000+ 4.98 грн
24000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJA3460_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3460.pdf PJA3460-R1 SMD N channel transistors
товар відсутній