PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 10.28 грн |
65+ | 5.59 грн |
100+ | 5.04 грн |
195+ | 4.14 грн |
535+ | 3.92 грн |
4000+ | 3.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 50V, Drain current: 0.35A, Pulsed drain current: 1.2A, Power dissipation: 223mW, Case: SOT563, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції PJX138K_R1_00001 за ціною від 3.39 грн до 32.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PJX138K_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 223mW Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJX138K_R1_00001 | Виробник : Panjit | MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
на замовлення 43614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJX138K_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. | Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PJX138K_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. | Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M |
товар відсутній |