PMPB14R7EPX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0145 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PMPB14R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0145 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 20.34 грн |
| 500+ | 14.81 грн |
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Технічний опис PMPB14R7EPX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0145 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMPB14R7EPX за ціною від 8.1 грн до 39.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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PMPB14R7EPX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB14R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0145 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PMPB14R7EPX | Виробник : Nexperia |
 MOSFET PMPB14R7EP/SOT1220-2/DFN2020M- |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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