PU1DMH Taiwan Semiconductor
на замовлення 11886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.7 грн |
| 13+ | 24.06 грн |
| 100+ | 12.55 грн |
| 500+ | 11.62 грн |
| 1000+ | 7.9 грн |
| 2500+ | 7.31 грн |
| 12000+ | 6.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PU1DMH Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Micro SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PU1DMH за ціною від 11.01 грн до 32.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PU1DMH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Micro SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PU1DMH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Micro SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |