PXN018-30QLJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 15.5 грн |
| 500+ | 11.35 грн |
| 1000+ | 7.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXN018-30QLJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Інші пропозиції PXN018-30QLJ за ціною від 7.35 грн до 34.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PXN018-30QLJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXN018-30QLJ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33 |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXN018-30QLJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PXN018-30QLJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
PXN018-30QLJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V |
товар відсутній |