PXP3R7-12QUJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 47.63 грн |
| 500+ | 38.22 грн |
| 1000+ | 29.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXP3R7-12QUJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Інші пропозиції PXP3R7-12QUJ за ціною від 29.67 грн до 75.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PXP3R7-12QUJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PXP3R7-12QUJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 98.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 6 V |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PXP3R7-12QUJ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33 |
на замовлення 2944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PXP3R7-12QUJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 12V 18.7A 8-Pin MLPAK33 EP |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
PXP3R7-12QUJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 98.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 6 V |
товар відсутній |