на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.72 грн |
| 6000+ | 13.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS5K2TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції QS5K2TR за ціною від 10.28 грн до 41.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS5K2TR | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QS5K2TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QS5K2TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5 |
на замовлення 62003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QS5K2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 |
на замовлення 67905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QS5K2TR | Виробник : ROH |
07+; |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
QS5K2TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSOT25 Mounting: SMD Case: TSOT25 Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common source On-state resistance: 154mΩ Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 2.8nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
QS5K2TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSOT25 Mounting: SMD Case: TSOT25 Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common source On-state resistance: 154mΩ Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 2.8nC |
товар відсутній |