Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8J1TR
QS8J1TR

QS8J1TR Rohm Semiconductor

QS8J1.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.74 грн
6000+ 28.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8J1TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції QS8J1TR за ціною від 27.77 грн до 82.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
QS8J1TR QS8J1TR Виробник : Rohm Semiconductor QS8J1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.01 грн
10+ 58.54 грн
100+ 45.54 грн
500+ 36.22 грн
1000+ 29.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
QS8J1TR QS8J1TR Виробник : ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms13055-1-1742418.pdf MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.92 грн
10+ 73.18 грн
100+ 45.9 грн
500+ 38.46 грн
1000+ 30.89 грн
3000+ 29.09 грн
6000+ 27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
QS8J1TR QS8J1.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)