на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 548+ | 21.25 грн |
| 556+ | 20.96 грн |
| 567+ | 20.57 грн |
| 1000+ | 19.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8J4TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції QS8J4TR за ціною від 25.64 грн до 70.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS8J4TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 550mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QS8J4TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QS8J4TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QS8J4TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QS8J4TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN |
на замовлення 7694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QS8J4TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QS8J4TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 550mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 7427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QS8J4TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| QS8J4TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |