QS8K11TCR Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 365+ | 31.94 грн |
| 380+ | 30.66 грн |
| 500+ | 29.55 грн |
| 1000+ | 27.57 грн |
| 2500+ | 24.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8K11TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QS8K11TCR за ціною від 19.66 грн до 64.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS8K11TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS8K11TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V Drive Nch+Nch Si MOSFET |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| QS8K11TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 12A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
QS8K11TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| QS8K11TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 12A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |