R6007ENJTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 119.23 грн |
| 10+ | 85.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6007ENJTL ROHM
Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm.
Інші пропозиції R6007ENJTL за ціною від 56.99 грн до 142.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6007ENJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6007ENJTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6007ENJTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
R6007ENJTL Код товару: 190145 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| R6007ENJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 78W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Drain current: 7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: D2PAK On-state resistance: 1.2Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
R6007ENJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| R6007ENJTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 78W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Drain current: 7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: D2PAK On-state resistance: 1.2Ω |
товар відсутній |