R6020ENZ4C13 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 308.5 грн |
| 10+ | 259.32 грн |
| 25+ | 210.14 грн |
| 100+ | 148.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ENZ4C13 ROHM
Description: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6020ENZ4C13 за ціною від 167.39 грн до 401.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6020ENZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6020ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
R6020ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| R6020ENZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|