Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6020YNXC7G
R6020YNXC7G

R6020YNXC7G Rohm Semiconductor

r6020ynxc7g-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+162.13 грн
75+ 155.95 грн
100+ 150.66 грн
Мінімальне замовлення: 72
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6020YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції R6020YNXC7G за ціною від 110.27 грн до 269.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R6020YNXC7G R6020YNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020YNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.68 грн
10+ 190.84 грн
100+ 154.39 грн
500+ 128.79 грн
1000+ 110.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020YNXC7G R6020YNXC7G Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020YNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 600V 12A MOSFET
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.31 грн
10+ 216.95 грн
50+ 159.42 грн
100+ 145.47 грн
250+ 136.84 грн
500+ 128.87 грн
1000+ 110.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020YNXC7G R6020YNXC7G Виробник : ROHM r6020ynxc7g-e.pdf Description: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+269.75 грн
10+ 178.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020YNXC7G R6020YNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6020ynxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)