R6027YNXC7G

R6027YNXC7G ROHM Semiconductor


r6027ynxc7g-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.21 грн
10+ 333.06 грн
25+ 273.01 грн
100+ 233.82 грн
250+ 221.2 грн
500+ 208.58 грн
1000+ 176.69 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6027YNXC7G ROHM Semiconductor

Description: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R6027YNXC7G за ціною від 177.52 грн до 380.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R6027YNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6027ynxc7g-e.pdf Description: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+380.11 грн
10+ 307.22 грн
100+ 248.54 грн
500+ 207.32 грн
1000+ 177.52 грн