R8002ANX

R8002ANX Rohm Semiconductor


r8002anx-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+122.99 грн
100+ 117.49 грн
Мінімальне замовлення: 95
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R8002ANX Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 2, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 36, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 36, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції R8002ANX за ціною від 104.83 грн до 193.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R8002ANX R8002ANX Виробник : Rohm Semiconductor r8002anx-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+122.99 грн
100+ 117.49 грн
250+ 112.78 грн
500+ 104.83 грн
Мінімальне замовлення: 95
R8002ANX R8002ANX Виробник : Rohm Semiconductor r8002anx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.29 грн
10+ 167.24 грн
100+ 137.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANX r8002anx-e.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8002ANX R8002ANX Виробник : ROHM ROHM-S-A0007229656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R8002ANX R8002ANX Виробник : ROHM Semiconductor r8002anx-e.pdf MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній