R8002KNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 119.75 грн |
| 106+ | 110.84 грн |
| 124+ | 94.01 грн |
| 200+ | 85.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R8002KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28, Bauform - Transistor: TO-220FM, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R8002KNXC7G за ціною від 54.27 грн до 148.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R8002KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFET 800V 1.6A TO-220FM PWR MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R8002KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R8002KNXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: TO-220FM Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|