Продукція > ROHM > RCD051N20TL
RCD051N20TL

RCD051N20TL ROHM

ROHM-S-A0003127936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - RCD051N20TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.12 грн
500+ 19.93 грн
1000+ 15.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RCD051N20TL ROHM

Description: ROHM - RCD051N20TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RCD051N20TL за ціною від 15.27 грн до 50.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RCD051N20TL RCD051N20TL Виробник : ROHM rcd051n20.pdf Description: ROHM - RCD051N20TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.67 грн
19+ 40.02 грн
100+ 26.53 грн
500+ 21.03 грн
1000+ 15.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
RCD051N20TL RCD051N20TL Виробник : Rohm Semiconductor rcd051n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RCD051N20TL RCD051N20TL Виробник : Rohm Semiconductor rcd051n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RCD051N20TL RCD051N20TL Виробник : Rohm Semiconductor rcd051n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
товар відсутній
RCD051N20TL RCD051N20TL Виробник : ROHM Semiconductor rcd051n20-e-1018147.pdf MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
товар відсутній