Продукція > ROHM > RD3H200SNTL1
RD3H200SNTL1

RD3H200SNTL1 ROHM

ROHM-S-A0008997087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.86 грн
500+ 41.65 грн
1000+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3H200SNTL1 ROHM

Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RD3H200SNTL1 за ціною від 31.3 грн до 113.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RD3H200SNTL1 RD3H200SNTL1 Виробник : ROHM ROHM-S-A0008997087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+83.46 грн
12+ 65.57 грн
100+ 51.86 грн
500+ 41.65 грн
1000+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
RD3H200SNTL1 RD3H200SNTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.81 грн
10+ 97.36 грн
100+ 75.91 грн
500+ 58.85 грн
1000+ 46.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H200SNTL1 RD3H200SNTL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3H200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
на замовлення 7283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.15 грн
10+ 100.07 грн
100+ 67.75 грн
500+ 56.06 грн
1000+ 44.24 грн
2500+ 41.25 грн
10000+ 37.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H200SNTL1 RD3H200SNTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товар відсутній