Продукція > HARRIS CORPORATION > RFA100N05E

RFA100N05E Harris Corporation

HRISD017-4-778.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-218-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+342.86 грн
Мінімальне замовлення: 58
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFA100N05E Harris Corporation

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-218-5, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-218-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V.

Інші пропозиції RFA100N05E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFA100N05E HRISD017-4-778.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)