RFN10BGE3STL

RFN10BGE3STL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RFN10BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.74 грн
5000+ 28.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFN10BGE3STL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RFN10BGE3STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 350 V, 10 A, Einfach, 1.5 V, 30 ns, 80 A, tariffCode: 85044083, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 30ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції RFN10BGE3STL за ціною від 27.23 грн до 80.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFN10BGE3STL RFN10BGE3STL Виробник : ROHM rfn10bge3s-e.pdf Description: ROHM - RFN10BGE3STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 350 V, 10 A, Einfach, 1.5 V, 30 ns, 80 A
tariffCode: 85044083
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.49 грн
500+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
RFN10BGE3STL RFN10BGE3STL Виробник : Rohm Semiconductor rfn10bge3s-e.pdf Rectifier Diode Switching Si 350V 10A 30ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
230+50.82 грн
250+ 48.79 грн
500+ 47.03 грн
1000+ 43.87 грн
Мінімальне замовлення: 230
RFN10BGE3STL RFN10BGE3STL Виробник : ROHM rfn10bge3s-e.pdf Description: ROHM - RFN10BGE3STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 350 V, 10 A, Einfach, 1.5 V, 30 ns, 80 A
tariffCode: 85044083
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.94 грн
14+ 54.62 грн
100+ 39.49 грн
500+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
RFN10BGE3STL RFN10BGE3STL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.01 грн
10+ 58.54 грн
100+ 45.54 грн
500+ 36.22 грн
1000+ 29.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
RFN10BGE3STL RFN10BGE3STL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RFN10BGE3S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Diodes - General Purpose, Power, Switching SUPER FAST RECOVERY,SWITCHING
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.6 грн
10+ 61.04 грн
100+ 43.18 грн
500+ 37.33 грн
1000+ 30.42 грн
2500+ 27.5 грн
5000+ 27.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
RFN10BGE3STL RFN10BGE3STL Виробник : Rohm Semiconductor rfn10bge3s-e.pdf Rectifier Diode Switching Si 350V 10A 30ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)