RGTH60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 377.96 грн |
| 30+ | 287.98 грн |
| 120+ | 246.85 грн |
| 510+ | 205.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 194 W.
Інші пропозиції RGTH60TS65DGC13 за ціною від 172.71 грн до 414.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH60TS65DGC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors TO247GE 650V TRNCH 30A |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RGTH60TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 58A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |