RGW60TS65HRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 277.95 грн |
| 10+ | 170.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW60TS65HRC11 ROHM
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 64 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 178 W.
Інші пропозиції RGW60TS65HRC11 за ціною від 182.01 грн до 437.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW60TS65HRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGW60TS65HRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|