RJK005N03FRAT146 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.26 грн |
| 500+ | 8.44 грн |
| 1000+ | 5.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK005N03FRAT146 ROHM
Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RJK005N03FRAT146 за ціною від 4.12 грн до 32.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK005N03FRAT146 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJK005N03FRAT146 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJK005N03FRAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 |
на замовлення 3878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RJK005N03FRAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RJK005N03FRAT146 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A; 200mW; SMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.2W Case: SMT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RJK005N03FRAT146 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A; 200mW; SMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.2W Case: SMT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |