RJK0332DPB-01#J0 RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0047 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0047 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 96.13 грн |
10+ | 84.2 грн |
100+ | 69.67 грн |
500+ | 58.05 грн |
1000+ | 49.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0332DPB-01#J0 RENESAS
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0047 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Anzahl der Pins: 4Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RJK0332DPB-01#J0 за ціною від 49.44 грн до 134.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RJK0332DPB-01#J0 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0047 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RJK0332DPB-01#J0 | Виробник : Renesas Electronics | MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RJK0332DPB-01#J0 | Виробник : Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RJK0332DPB-01#J0 | Виробник : Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |