RJK03M2DPA-00#J5A

RJK03M2DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc


rjk03m2dpa-datasheet?language=en Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK03M2DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Supplier Device Package: 8-WPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJK03M2DPA-00#J5A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK03M2DPA-00#J5A RJK03M2DPA-00#J5A Виробник : Renesas Electronics RNCCS13063_1-2574889.pdf MOSFET POWER TRANSISTOR BEAM2 MOSFET 30V WPAK
товар відсутній