RJK0655DPB-00#J5 RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 114.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0655DPB-00#J5 RENESAS
Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RJK0655DPB-00#J5 за ціною від 75.06 грн до 209.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics | MOSFET Power MOSFET |
на замовлення 11411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK |
товар відсутній |