Продукція > RENESAS > RJK0656DPB-00#J5
RJK0656DPB-00#J5

RJK0656DPB-00#J5 RENESAS

rjk0656dpb-datasheet Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+120.72 грн
500+ 101.71 грн
1000+ 80.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0656DPB-00#J5 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RJK0656DPB-00#J5 за ціною від 79.05 грн до 222.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK0656DPB-00#J5 RJK0656DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1054ej0200_rjk0656dpb_DST_20130409-2930992.pdf MOSFET Power MOSFET
на замовлення 14831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.37 грн
10+ 168.06 грн
100+ 116.91 грн
250+ 107.61 грн
500+ 97.65 грн
1000+ 83.7 грн
2500+ 79.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
RJK0656DPB-00#J5 RJK0656DPB-00#J5 Виробник : RENESAS rjk0656dpb-datasheet Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+222.8 грн
10+ 163.94 грн
100+ 120.72 грн
500+ 101.71 грн
1000+ 80.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
RJK0656DPB-00#J5 RJK0656DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America Inc rjk0656dpb-datasheet Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)