Продукція > RENESAS > RJK6002DPH-E0#T2

RJK6002DPH-E0#T2 Renesas


Виробник: Renesas
Description: RJK6002DPH - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 3467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
347+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 347
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK6002DPH-E0#T2 Renesas

Description: RJK6002DPH - N CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-251, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RJK6002DPH-E0#T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK6002DPH-E0#T2 Виробник : Renesas Electronics r07ds1047ej0100_rjk6002dph-1093194.pdf MOSFET Power MOSFET , 600V 2A , LDPAK-S
товар відсутній