Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1106,LF(CT
RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN1106,LF(CT за ціною від 1.7 грн до 16.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1106,LF(CT RN1106,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.41 грн
29+ 10.03 грн
100+ 4.88 грн
500+ 3.82 грн
1000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN1106,LF(CT RN1106,LF(CT Виробник : Toshiba RN1106_datasheet_en_20210830-1150771.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 11157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.93 грн
26+ 12.25 грн
100+ 4.07 грн
1000+ 2.78 грн
3000+ 2.17 грн
9000+ 2.03 грн
24000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 19
RN1106,LF(CT RN1106,LF(CT Виробник : Toshiba 101docget.jsppidrn1104langentypedatasheet.jsppidrn1104langentypedata.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
товар відсутній
RN1106,LF(CT RN1106,LF(CT Виробник : Toshiba 101docget.jsppidrn1104langentypedatasheet.jsppidrn1104langentypedata.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
товар відсутній
RN1106,LF(CT Виробник : Toshiba 101docget.jsppidrn1104langentypedatasheet.jsppidrn1104langentypedata.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
товар відсутній