RSD080N06TL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RSD080N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 58.12 грн |
| 500+ | 45.74 грн |
| 1000+ | 30.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSD080N06TL ROHM
Description: MOSFET N-CH 60V 8A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSD080N06TL за ціною від 30.53 грн до 102.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RSD080N06TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSD080N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
на замовлення 2262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RSD080N06TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 8A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
RSD080N06TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RD3L080SNTL1 |
товар відсутній |