RSF010P05TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.18 грн |
| 6000+ | 9.31 грн |
| 9000+ | 8.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSF010P05TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.33 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm.
Інші пропозиції RSF010P05TL за ціною від 10.29 грн до 36.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSF010P05TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.33 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RSF010P05TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V |
на замовлення 12524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RSF010P05TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.33 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RSF010P05TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch |
на замовлення 9055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| RSF010P05TL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| RSF010P05TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -1A; Idm: -4A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -1A Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| RSF010P05TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -1A; Idm: -4A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -1A Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |