RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.11 грн |
| 6000+ | 13.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSR025P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RSR025P03HZGTL за ціною від 13.09 грн до 50.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSR025P03HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSR025P03HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSR025P03HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSR025P03HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSR025P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSR025P03HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSR025P03HZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET P-CH 20V 2.5A SS MOSFET |
на замовлення 5229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSR025P03HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSR025P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|