Продукція > ROHM > RSS065N06FRATB
RSS065N06FRATB

RSS065N06FRATB ROHM

ROHM-S-A0009016462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSS065N06FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.49 грн
500+ 25.19 грн
1000+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSS065N06FRATB ROHM

Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSS065N06FRATB за ціною від 17.95 грн до 65.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSS065N06FRATB RSS065N06FRATB Виробник : ROHM ROHM-S-A0009016462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSS065N06FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.33 грн
15+ 51.71 грн
100+ 32.49 грн
500+ 25.19 грн
1000+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
RSS065N06FRATB RSS065N06FRATB Виробник : ROHM Semiconductor rss065n06fratb-e.pdf MOSFET Nch 60V Vds 6.5A 0.031Rds(on) 11Qg
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.56 грн
10+ 56.91 грн
100+ 38 грн
500+ 30.02 грн
1000+ 25.64 грн
2500+ 21.79 грн
10000+ 20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
RSS065N06FRATB RSS065N06FRATB Виробник : Rohm Semiconductor rss065n06fratb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RSS065N06FRATB RSS065N06FRATB Виробник : Rohm Semiconductor rss065n06fratb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній