Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV4E031RPHZGTCR1
RV4E031RPHZGTCR1

RV4E031RPHZGTCR1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV4E031RPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-6W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.45 грн
10+ 43.8 грн
100+ 30.33 грн
500+ 23.78 грн
1000+ 20.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV4E031RPHZGTCR1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN1616-6W, Grade: Automotive, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RV4E031RPHZGTCR1 за ціною від 26.77 грн до 58.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RV4E031RPHZGTCR1 RV4E031RPHZGTCR1 Виробник : ROHM Semiconductor rv4e031rphzgtcr1_e-1928878.pdf MOSFET AECQ
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.12 грн
10+ 50.8 грн
100+ 33.88 грн
500+ 26.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
RV4E031RPHZGTCR1 RV4E031RPHZGTCR1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV4E031RPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-6W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній