RV8C010UNHZGG2CR ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 19.23 грн |
500+ | 13.91 грн |
1000+ | 8.81 грн |
5000+ | 8.62 грн |
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Технічний опис RV8C010UNHZGG2CR ROHM
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm.
Інші пропозиції RV8C010UNHZGG2CR за ціною від 8.62 грн до 41.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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RV8C010UNHZGG2CR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.34 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm |
на замовлення 6850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RV8C010UNHZGG2CR | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 20V 1A, Small Signal MOSFET for Automotive. |
на замовлення 7688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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RV8C010UNHZGG2CR | Виробник : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W |
товар відсутній |