RX3L07BGNC16 Rohm Semiconductor
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 130.43 грн |
| 93+ | 125.46 грн |
| 100+ | 121.21 грн |
| 250+ | 113.33 грн |
| 500+ | 102.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3L07BGNC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3L07BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm.
Інші пропозиції RX3L07BGNC16 за ціною від 81.7 грн до 218.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3L07BGNC16 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RX3L07BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0052 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RX3L07BGNC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 60V 70A, TO-220AB, Power MOSFET. |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RX3L07BGNC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RX3L07BGNC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V |
товар відсутній |