Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SEMIX156GD12M7P 27896110

SEMIX156GD12M7P 27896110 SEMIKRON DANFOSS


Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMiX® 6p
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SEMIX156GD12M7P 27896110 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SEMiX® 6p, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SEMIX156GD12M7P 27896110

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SEMIX156GD12M7P 27896110 Виробник : SEMIKRON DANFOSS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMiX® 6p
товар відсутній