SH8K26GZ0TB1

SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SH8K26GZ0TB1 за ціною від 30.47 грн до 100.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Виробник : ROHM datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.19 грн
500+ 44.21 грн
1000+ 30.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET LOW POWER MOSFET
на замовлення 14967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.22 грн
10+ 81.74 грн
100+ 55.2 грн
500+ 45.63 грн
1000+ 37.46 грн
2500+ 31.82 грн
10000+ 30.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.85 грн
10+ 81.86 грн
100+ 63.83 грн
500+ 49.49 грн
1000+ 39.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Виробник : ROHM datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.6 грн
10+ 77.5 грн
100+ 56.19 грн
500+ 44.21 грн
1000+ 30.47 грн
Мінімальне замовлення: 8