SI3139KEA-TP

SI3139KEA-TP Micro Commercial Co


SI3139KEA(SOT-523).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
на замовлення 2796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.81 грн
22+ 12.73 грн
100+ 6.75 грн
500+ 4.17 грн
1000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3139KEA-TP Micro Commercial Co

Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V.

Інші пропозиції SI3139KEA-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3139KEA-TP Виробник : Micro Commercial Components SI3139KEA(SOT-523).pdf P-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
SI3139KEA-TP SI3139KEA-TP Виробник : Micro Commercial Co SI3139KEA(SOT-523).pdf Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
товар відсутній