SI4143DY-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 13260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 37.26 грн |
| 500+ | 27.26 грн |
| 1000+ | 20.18 грн |
| 2500+ | 20.12 грн |
| 5000+ | 18.78 грн |
| 10000+ | 17.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4143DY-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm.
Інші пропозиції SI4143DY-T1-GE3 за ціною від 16.67 грн до 60.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4143DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V |
на замовлення 2526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4143DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 63860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4143DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm |
на замовлення 14517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SI4143DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI4143DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI4143DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V |
товар відсутній |