SIA106DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 63141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.52 грн |
| 10+ | 51.94 грн |
| 100+ | 31.35 грн |
| 500+ | 26.17 грн |
| 1000+ | 22.25 грн |
| 3000+ | 19.79 грн |
| 6000+ | 19.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA106DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 19W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 22.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 13.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIA106DJ-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 |
на замовлення 5601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
товар відсутній |
|
| SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
| SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |