SIA456DJ-T3-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 751-760 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.73 грн |
| 10+ | 59.35 грн |
| 100+ | 40.25 грн |
| 500+ | 33.28 грн |
| 1000+ | 26.3 грн |
| 2500+ | 25.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA456DJ-T3-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIA456DJ-T3-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA456DJ-T3-GE3 | Виробник : Vishay |
 N-Channel 200 V (D-S) MOSFET |
товар відсутній |
|
| SIA456DJ-T3-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V |
товар відсутній |