Продукція > VISHAY SILICONIX > SiA469DJ-T1-GE3
SiA469DJ-T1-GE3

SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia469dj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.97 грн
6000+ 7.36 грн
9000+ 6.62 грн
30000+ 6.12 грн
75000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SiA469DJ-T1-GE3 за ціною від 6.38 грн до 312 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia469dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
790+14.75 грн
795+ 14.65 грн
942+ 12.37 грн
1000+ 11.26 грн
Мінімальне замовлення: 790
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002931298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.11 грн
500+ 12.59 грн
1000+ 8.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
SiA469DJ-T1-GE3 SiA469DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia469dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
на замовлення 179046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.46 грн
13+ 22.07 грн
100+ 13.25 грн
500+ 11.51 грн
1000+ 7.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
SiA469DJ-T1-GE3 SiA469DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia469dj.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 153660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.47 грн
14+ 23.45 грн
100+ 12.02 грн
1000+ 8.24 грн
3000+ 7.11 грн
9000+ 6.51 грн
24000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia469dj.pdf Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.78 грн
25+ 29.81 грн
100+ 18.11 грн
500+ 12.59 грн
1000+ 8.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
SiA469DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+22.89 грн
71+ 13.7 грн
195+ 12.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
SiA469DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia469dj.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+312 грн
10+ 62.4 грн
100+ 27.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia469dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товар відсутній
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia469dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товар відсутній
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia469dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товар відсутній