SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.21 грн |
| 10+ | 28.92 грн |
| 100+ | 20.14 грн |
| 500+ | 14.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції SIA907EDJT-T1-GE3 за ціною від 9.7 грн до 38.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA907EDJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70 |
на замовлення 80835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIA907EDJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SIA907EDJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIA907EDJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIA907EDJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIA907EDJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |