Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis412dn_new.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 68450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.52 грн
6000+ 13.25 грн
9000+ 12.27 грн
30000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIS412DN-T1-GE3 за ціною від 12.26 грн до 46.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dn_new.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
342+34.07 грн
345+ 33.75 грн
480+ 24.29 грн
485+ 23.19 грн
545+ 19.08 грн
1000+ 13.21 грн
Мінімальне замовлення: 342
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+35.25 грн
25+ 29.61 грн
36+ 22.76 грн
97+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dn_new.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+36.12 грн
19+ 31.94 грн
25+ 31.64 грн
50+ 30.22 грн
100+ 20.14 грн
250+ 19.14 грн
500+ 17.01 грн
1000+ 12.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 68450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.08 грн
10+ 31.9 грн
100+ 22.09 грн
500+ 17.32 грн
1000+ 14.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis412dn_new.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 14259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.38 грн
10+ 34.76 грн
100+ 21.06 грн
500+ 17.6 грн
1000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.3 грн
25+ 36.9 грн
36+ 27.32 грн
97+ 25.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000862428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 39333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+46.13 грн
20+ 38.6 грн
100+ 25.34 грн
500+ 19.17 грн
1000+ 16.41 грн
5000+ 15.14 грн
Мінімальне замовлення: 17
SIS412DN-T1-GE3
Код товару: 173697 		sis412dn_new.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis412dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній