Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZ320DT-T1-GE3
SIZ320DT-T1-GE3

SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

siz320dt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.39 грн
10+ 54.32 грн
100+ 37.58 грн
500+ 29.47 грн
1000+ 25.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 16.7W, 31W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3).

Інші пропозиції SIZ320DT-T1-GE3 за ціною від 22.98 грн до 69.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIZ320DT-T1-GE3 SIZ320DT-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siz320dt-1765168.pdf MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.2 грн
10+ 60.58 грн
100+ 40.39 грн
500+ 31.95 грн
1000+ 25.57 грн
3000+ 23.12 грн
6000+ 22.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIZ320DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz320dt.pdf SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIZ320DT-T1-GE3 SIZ320DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz320dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
товар відсутній