на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 48.17 грн |
| 13+ | 47.44 грн |
| 25+ | 46.71 грн |
| 100+ | 44.33 грн |
| 250+ | 40.4 грн |
| 500+ | 38.15 грн |
| 1000+ | 37.52 грн |
| 3000+ | 36.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5).
Інші пропозиції SIZF906ADT-T1-GE3 за ціною від 38.93 грн до 79.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF906ADT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 5805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZF906ADT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F |
на замовлення 5804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZF906ADT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIZF906ADT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SIZF906ADT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIZF906ADT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) |
товар відсутній |