SPB04N60C3

SPB04N60C3 Infineon Technologies


SPB04N60C3_Rev2.5-41741.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 4.5A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB04N60C3 Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPB04N60C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPB04N60C3 Виробник : INFINEON Infineon-SPB04N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ddb2c4904 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB04N60C3 Виробник : INFINEON Infineon-SPB04N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ddb2c4904 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB04N60C3 Виробник : INFINEON Infineon-SPB04N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ddb2c4904 TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB04N60C3 SPB04N60C3 Виробник : Infineon Technologies spb04n60c3_rev2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
SPB04N60C3 SPB04N60C3 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPB04N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ddb2c4904 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товар відсутній