Технічний опис SPD09P06PL INF
Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPD09P06PL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SPD09P06PL | Виробник : INF |
 09+ |
на замовлення 554 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD09P06PL | Виробник : INFINECO |
|
на замовлення 838 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD09P06PL | Виробник : INFINEON |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD09P06PL | Виробник : INFINEON |
TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SPD09P06PL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
SPD09P06PL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
товар відсутній |